導(dao)師姓名

鄭安(an)生(sheng)

性別

男(nan)

出生年月

1962年5月(yue)

所在室所

稀土材(cai)料國家工程研究中心

技(ji)術職稱(cheng)

教(jiao)授級(ji)高級(ji)工程師

招生專業(ye)

材料科學與工程(cheng)

聯系電話

13370118522

E-mail

zhas@grieom.com

研究方(fang)向

1. 半(ban)導體材料(liao)研究

2. 紅(hong)外光學材料研究

個人(ren)簡況

教授(shou)級高(gao)工，享受政府特殊津貼(tie)專家。1983年(nian)畢(bi)(bi)業于(yu)蘭州大(da)學金屬物理(li)專業，1988年(nian)畢(bi)(bi)業于(yu)蘭州大(da)學材料學系固體物理(li)專業，獲碩士學位，同年(nian)進入北京有(you)色金屬研究總院工作。曾(ceng)任(ren)國(guo)家半導體材料工程研究中心(xin)副主任(ren)，有(you)研光(guang)電新材料有(you)限責任(ren)公司(si)總經理(li)。

鄭安生長期(qi)從事化(hua)合物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)材(cai)(cai)料的研(yan)(yan)究開發(fa)工(gong)作，是(shi)我國(guo)(guo)(guo)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)材(cai)(cai)料專(zhuan)家(jia)(jia)，國(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)科(ke)學技(ji)術(shu)部(bu)技(ji)術(shu)審(shen)查專(zhuan)家(jia)(jia)。先(xian)后承擔國(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)863計劃(hua)、科(ke)技(ji)支撐計劃(hua)、國(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)高技(ji)術(shu)產業(ye)化(hua)示范工(gong)程項(xiang)(xiang)目(mu)10多項(xiang)(xiang)。在(zai)(zai)國(guo)(guo)(guo)內(nei)首(shou)家(jia)(jia)研(yan)(yan)制出Φ2”和(he)Φ3” HB-GaAs晶(jing)(jing)片(pian)，并形(xing)成(cheng)(cheng)了(le)大(da)規模生產，成(cheng)(cheng)為世界(jie)最大(da)的HB-GaAs晶(jing)(jing)片(pian)供(gong)應(ying)商。在(zai)(zai)國(guo)(guo)(guo)內(nei)首(shou)家(jia)(jia)研(yan)(yan)制出N型摻Te GaSb晶(jing)(jing)片(pian)和(he)P型摻Zn GaSb晶(jing)(jing)片(pian)，為我國(guo)(guo)(guo)2-4um波段激光器和(he)探測器的研(yan)(yan)發(fa)做出巨(ju)大(da)貢獻。在(zai)(zai)國(guo)(guo)(guo)內(nei)首(shou)家(jia)(jia)研(yan)(yan)制出Φ2”、Φ2.5” GaP和(he)InAs晶(jing)(jing)片(pian)，GaP晶(jing)(jing)片(pian)形(xing)成(cheng)(cheng)了(le)大(da)規模生產，成(cheng)(cheng)為世界(jie)第三大(da)供(gong)應(ying)商。先(xian)后獲(huo)部(bu)級科(ke)研(yan)(yan)成(cheng)(cheng)果5項(xiang)(xiang)，授權專(zhuan)利8項(xiang)(xiang)，在(zai)(zai)國(guo)(guo)(guo)內(nei)外核心期(qi)刊上(shang)發(fa)表論文約40篇(pian)，專(zhuan)著和(he)譯著各1部(bu)。獲(huo)部(bu)級科(ke)技(ji)進(jin)步(bu)一等獎1項(xiang)(xiang)，二等獎1項(xiang)(xiang)，三等獎3項(xiang)(xiang)。