12月(yue)20日，有研(yan)光電正式成(cheng)為河北省鍺和(he)砷化(hua)鎵晶體材料(liao)技術創新中(zhong)心。
有研(yan)光電(dian)新園區2012年正(zheng)式投產，經過6年的(de)(de)(de)(de)不斷(duan)發(fa)展。從紅外鍺(zang)批(pi)(pi)量(liang)生產到低(di)位錯鍺(zang)、超高純(chun)鍺(zang)的(de)(de)(de)(de)中試線建設。從2英寸水平砷化鎵的(de)(de)(de)(de)批(pi)(pi)量(liang)供貨(huo)到3英寸單(dan)晶(jing)(jing)片的(de)(de)(de)(de)技術(shu)研(yan)發(fa)，凝(ning)聚了光電(dian)人“志(zhi)當存(cun)高遠(yuan)，敢為天下先”的(de)(de)(de)(de)創新精神。目前紅外鍺(zang)單(dan)晶(jing)(jing)直徑由最初(chu)的(de)(de)(de)(de)260mm發(fa)展到現在(zai)的(de)(de)(de)(de)395mm以(yi)上，砷化鎵已(yi)掌握2.5英寸到4英寸的(de)(de)(de)(de)VGF拉晶(jing)(jing)工藝，在(zai)省級(ji)新材料領域脫穎(ying)而出(chu)，正(zheng)式批(pi)(pi)復開展技術(shu)創新中心的(de)(de)(de)(de)建設。
未(wei)來5-10年，有研(yan)光電將圍繞低位錯鍺單晶、超(chao)高純(chun)鍺單晶、大直徑(jing)砷化鎵晶體材料三(san)個研(yan)究(jiu)方向重點(dian)開展研(yan)究(jiu)，從(cong)“更低”、“更純(chun)”、“更大”三(san)方面著(zhu)手實現重點(dian)技術(shu)突破。