2006年1月19、20日，北京市范伯元副市長(chang)、國(guo)家科技部高新司材料處及(ji)高技術中心的(de)(de)領導先后對總(zong)院(yuan)和(he)有研硅股共同(tong)承擔的(de)(de)863課題“12英寸(cun)硅單晶拋(pao)光(guang)片(pian)和(he)外延(yan)片(pian)的(de)(de)研制”作(zuo)現(xian)場檢查和(he)指導。屠海令院(yuan)長(chang)、張少(shao)明副院(yuan)長(chang)、熊柏青副院(yuan)長(chang)以及(ji)有研硅股周旗鋼總(zong)經理等接待(dai)了來賓。
周旗鋼總經理從試驗線工程建設、關鍵技術的突破和市場開拓三個方面進行了匯報。屠海令院長進行了補充說明。范副市長和科技部高新司領導對試驗線建設的工作和進度表示了肯定，對關鍵技術的突破和自主創新能力表示贊許，并對該兩項課題今后對我國半導體產業的支撐以及相關產業的帶動作用寄以厚望。
經過兩年的建設“12英寸(cun)硅(gui)單晶拋光片(pian)和外延片(pian)試(shi)驗線”于2005年底基本完(wan)成(cheng)。該線的(de)建設主要依(yi)托于國家科技部“十五”863重大(da)專項“超大(da)規模(mo)集成(cheng)電路(lu)配(pei)套材(cai)料(liao)”中的(de)課題“12英寸(cun)硅(gui)單晶拋光片(pian)的(de)研制(zhi)”和“12英寸(cun)硅(gui)單晶外延片(pian)的(de)研制(zhi)”，北京市(shi)也對其進行(xing)了重點(dian)支持。
該試驗線的建成將突破國外對我國實施的高端集成電路用材料的技術封鎖，滿足國家戰略需要，并將極大地促進國內集成電路產業鏈的完善和北方微電子產業基地的建設。